Таърихи рушди Шӯрои PCB

Таърихи рушди Шӯрои PCB

Аз рузи таваллудиШӯрои PCB, зиёда аз 70 сол инкишоф ёфт.Дар раванди рушди беш аз 70 сол, PCB баъзе тағйироти муҳимро аз сар гузаронд, ки ба рушди босуръати PCB мусоидат кард ва онро зуд ба соҳаҳои гуногун татбиқ кард.Дар тӯли таърихи рушди PCB, онро ба шаш давра тақсим кардан мумкин аст.

(1) Санаи таваллуди PCB.PCB аз соли 1936 то охири солҳои 1940 таваллуд шудааст.Дар соли 1903, Алберт Ҳансон бори аввал мафҳуми «хат»-ро истифода бурда, онро дар системаи коммутатсионӣ телефон истифода бурд.Идеяи тарроҳии ин консепсия аз буридани фолгаи тунуки металлӣ ба ноқилҳои схема, ширеш кардани онҳо ба коғази парафин ва дар ниҳоят ба онҳо часонидани як қабати коғази парафин ва ба ин васила ташаккул додани прототипи сохтории PCB-и имрӯза мебошад.Дар соли 1936 доктор Пол Эйснер воқеан технологияи истеҳсоли PCB-ро ихтироъ кард.Ин вақт одатан ҳамчун вақти таваллуди воқеии PCB ҳисобида мешавад.Дар ин давраи таърихӣ равандҳои истеҳсолие, ки барои PCB қабул шудаанд, усули пӯшиш, усули дорупошӣ, усули пошидани вакуум, усули бухоршавӣ, усули таҳшини кимиёвӣ ва усули пӯшиш мебошанд.Дар он вақт, PCB маъмулан дар қабулкунакҳои радио истифода мешуд.

(2) Давраи истеҳсоли озмоишии PCB.Давраи истеҳсоли озмоишии PCB дар солҳои 1950 буд.Бо рушди PCB, аз соли 1953, саноати истеҳсоли таҷҳизоти коммуникатсионӣ ба PCB диққати бештар дода, ба миқдори зиёд PCB-ро оғоз кард.Дар ин давраи таърихӣ, раванди истеҳсоли PCB усули тарҳкунӣ мебошад.Усули мушаххас ин аст, ки ламинатҳои фенолӣ дар асоси коғазии тунуки мис пӯшидашуда (маводи ПП) ва сипас истифода бурдани маводи кимиёвӣ барои пароканда кардани фолгаи миси номатлуб, то фолгаи мисии боқимонда як схемаро ташкил кунад.Дар айни замон, таркиби химиявии маҳлули зангзанандае, ки барои PCB истифода мешавад, хлориди оҳан мебошад.Маҳсулоти намояндагӣ радиои транзистори сайёр мебошад, ки аз ҷониби Sony истеҳсол шудааст, ки як қабати PCB бо субстрати PP мебошад.

(3) Муҳлати муфиди PCB.PCB дар солҳои 1960 ба истифода дода шуд.Аз соли 1960 инҷониб, ширкатҳои Ҷопон ба миқдори зиёди маводи асосии GE (ламинати катрони эпоксии шишагини бо мис пӯшидашуда) истифода бурданд.Дар соли 1964, ширкати амрикоии схемаҳои оптикӣ маҳлули беэлектрикии мисро (маҳлули cc-4) барои миси вазнин таҳия кард ва ҳамин тавр раванди истеҳсоли усули нави иловагиро оғоз кард.Hitachi технологияи cc-4-ро барои ҳалли мушкилоти деформатсияи гармидиҳӣ ва канда кардани миси субстратҳои ватании Ge дар марҳилаи аввал ҷорӣ кард.Бо такмили ибтидоии технологияи моддӣ, сифати маводи асосии Ge беҳтар мешавад.Аз соли 1965 инҷониб, баъзе истеҳсолкунандагон ба истеҳсоли оммавии Ge substrates, Ge substrates барои таҷҳизоти электронии саноатӣ ва субстратҳои PP барои таҷҳизоти электронии шаҳрвандӣ дар Ҷопон шурӯъ карданд.